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專利狀態(tài)
突發(fā)式光模塊用淺溝柵狀背光探測器及其制作方法
有效
專利申請進(jìn)度
申請
2012-12-26
申請公布
2013-04-17
授權(quán)
2016-05-04
預(yù)估到期
2032-12-26
專利基礎(chǔ)信息
申請?zhí)?/td> CN201210573786.7 申請日 2012-12-26
申請公布號(hào) CN103050565A 申請公布日 2013-04-17
授權(quán)公布號(hào) CN103050565B 授權(quán)公告日 2016-05-04
分類號(hào) H01L31/109;H01L31/18
分類 基本電氣元件;
申請人名稱 華工科技產(chǎn)業(yè)股份有限公司
申請人地址 湖北省武漢市洪山區(qū)珞瑜路243號(hào)華工科技產(chǎn)業(yè)大廈A座12樓
專利法律狀態(tài)
  • 2016-05-04
    授權(quán)
    狀態(tài)信息
    授權(quán)
  • 2013-05-15
    實(shí)質(zhì)審查的生效
    狀態(tài)信息
    實(shí)質(zhì)審查的生效IPC(主分類):H01L 31/109申請日:20121226
  • 2013-04-17
    公布
    狀態(tài)信息
    公開
摘要
本發(fā)明提供一種突發(fā)式光模塊用淺溝柵狀背光探測器及其制作方法，該背光探測器由底部至上部依次包括有n+-InP襯底、高濃度摻雜的n-InP過渡層、中等濃度摻雜的n-InP緩沖層、非故意摻雜的InGaAs光吸收層、擴(kuò)鋅的P-InP覆蓋層、P+-InGaAs電接觸層及SiO2保護(hù)層，該覆蓋層與電接觸層內(nèi)形成有淺溝刻蝕區(qū)，該淺溝刻蝕區(qū)下方位于該光吸收層內(nèi)形成有氫離子注入高阻區(qū)，在該SiO2保護(hù)層上設(shè)有環(huán)狀的金屬電極，該金屬電極包圍該淺溝刻蝕區(qū)，該金屬電極外圍設(shè)有金屬擋光層。本發(fā)明的淺溝柵狀氫離子高阻隔離區(qū)可有效減少光敏區(qū)的面積和PN結(jié)電容，達(dá)到減小光脈沖信號(hào)的開啟延遲和光關(guān)斷后的電脈沖拖尾。