• 熱門行業(yè)
  • 裝修建材
  • 家居生活
  • 餐飲食品
  • 母嬰教育
  • 電腦辦公
  • 服裝首飾
  • 汽車工具
  • 家電數(shù)碼
  • 機(jī)械化工
  • 休閑美容
返回上一頁
專利狀態(tài)
一種具備微結(jié)構(gòu)的硅基疊層太陽能電池及其制備方法
有效
專利申請(qǐng)進(jìn)度
申請(qǐng)
2020-08-06
申請(qǐng)公布
2020-12-18
授權(quán)
2021-05-11
預(yù)估到期
2040-08-06
專利基礎(chǔ)信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010781222.7 申請(qǐng)日 2020-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN112103278A 申請(qǐng)公布日 2020-12-18
授權(quán)公布號(hào) CN112103278B 授權(quán)公告日 2021-05-11
分類號(hào) H01L25/16;H01L31/0352;H01L31/054;H01L31/068;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;B82Y40/00
分類 基本電氣元件;
申請(qǐng)人名稱 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
申請(qǐng)人地址 江蘇省蘇州市常熟市南三環(huán)路99號(hào)
專利法律狀態(tài)
  • 2021-05-11
    授權(quán)
    狀態(tài)信息
    授權(quán)
  • 2021-01-05
    實(shí)質(zhì)審查的生效
    狀態(tài)信息
    實(shí)質(zhì)審查的生效
  • 2020-12-18
    公布
    狀態(tài)信息
    公布
摘要
本發(fā)明公開了一種具備微結(jié)構(gòu)的硅基疊層太陽能電池，包括底電池結(jié)構(gòu)和層疊于底電池結(jié)構(gòu)之上的頂電池結(jié)構(gòu)，底電池結(jié)構(gòu)包括n型單晶硅襯底，n型單晶硅襯底上表面的四周設(shè)置SiO2絕緣層，中間刻蝕制備納米截頭錐孔周期陣列結(jié)構(gòu)并形成p型摻雜層，在納米截頭錐孔內(nèi)壁制備Ag薄膜反射層，n型單晶硅襯底的下表面設(shè)置金屬薄膜層；頂電池結(jié)構(gòu)由下至上依次包括TiO2薄膜層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層、透明導(dǎo)電薄膜層和金屬電極。本發(fā)明還公開了該電池的制備方法。本發(fā)明利用納米截頭錐孔周期陣列優(yōu)異的光捕獲能力，同時(shí)利用TiO2填充硅孔陣列提高載流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同時(shí)提高光電流密度。