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專利狀態(tài)
單晶硅基類倒金字塔絨面結構的擴散方法
有效
專利申請進度
申請
2019-06-02
申請公布
2019-08-09
授權
2021-08-17
預估到期
2039-06-02
專利基礎信息
申請?zhí)?/td> CN201910475055.0 申請日 2019-06-02
申請公布號 CN110112260A 申請公布日 2019-08-09
授權公布號 CN110112260B 授權公告日 2021-08-17
分類號 H01L31/18;H01L21/225
分類 基本電氣元件;
申請人名稱 蘇州騰暉光伏技術有限公司
申請人地址 江蘇省蘇州市常熟市沙家浜鎮(zhèn)常昆工業(yè)園區(qū)騰暉路1號
專利法律狀態(tài)
  • 2021-08-17
    授權
    狀態(tài)信息
    授權
  • 2019-09-03
    實質審查的生效
    狀態(tài)信息
    實質審查的生效IPC（主分類）:H01L 31/18
  • 2019-08-09
    公布
    狀態(tài)信息
    公布
摘要
本發(fā)明提供一種單晶硅基類倒金字塔絨面結構的擴散方法，包括：采用P型單晶硅片做單晶硅基底，在所述單晶硅基底正表面進行各向異性刻蝕，得到分布均勻的類倒金字塔結構；將具有類倒金字塔結構的硅片放入擴散爐中進行分步式擴散；所述分步式擴散包括溫度依次升高條件下的磷源沉積和至少兩個梯度的降溫程序。本發(fā)明三步有序沉積的設計有利于磷源較為充分的均勻的沉積到硅片表面；降溫分成兩步的緩沖式降溫方式，減少了硅片表面過多的磷源堆積而形成的“死層”，應用此方法得到的擴散方阻為達到理想方阻值，且均勻性較好。